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不得使用水、泡沫灭火器灭火。应该使用干黄沙和二氧化碳、干粉灭火器进行灭火。防止身体、手、足、或者使用的消防灭火器等直接与有电部分接触或有电部分过于接近造成触电事故。带电灭火时,还应该带绝缘橡胶手套。充油设备的灭火扑灭充油设备内部火灾时,应该注意以下几点:充油设备外部着火时,可用二氧化碳、121干粉等灭火器灭火;如果火势较大,应立即切断电源,用水灭火。如果是充油设备内部起火,应立即切断电源,灭火是使用喷雾水,必要时可用砂子、泥土等灭火。正接时候,R1VGS电压,MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通,所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ实际损耗很 08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小,选NMOS。NMOS管接在电源的负极,栅极高电平导通。半导体 重要的两种元素是硅(读“gui”)和锗(读“zhe”)。半导体分类:半导体主要分为二极管、三极管、可控硅、集成电路。二极管分类:用于稳压的稳压二极管,用于数字电路的关二极管,用于调谐的变容二极管,以及光电二极管等, 常看见的是发光二极管、整流二极管……二极管在电路中用“D”表示;发光二极管用“LED”表示;稳压二极管用“Z”表示。二极管极性判别:普通二极管:一般把极性标示在二极管的外壳上。在整个循环始前,设定起始设备地址,然后按照“读操作触发,读数据,读设备地址+1,延时,写数据,写操作触发,写设备地址+1,延时”的顺序持续循环,按照设备地址号选择上面的结构体变量:读操作iStep=0时,关闭读写触发,设定读写设备地址为1;iStep=10时,读操作触发,模块发出读数据命令,模块置位busy信号;iStep=11时,等待读操作完成,模块读到设备数据后会置位done信号,复位busy信号,根据信号状态将读到的数据(Read_Data)写入设备数据结构体(DeviceData.states),如果设备地址=1,则写入DeviceData.states,设备地址变化,写入的结构体也会相应的变化,保证不同设备的数据不会互相干涉。